金剛石是第四代半導體核心戰略材料，熱學、電學性能優於矽、碳化矽等材料，是高端晶片關鍵基底，已納入多國出口管制及我國“十五五”重點發展規劃。我國人造金剛石產能全球領先，但多應用於工具、珠寶領域，半導體級材料存在技術差距。隨著AI、高性能計算及先進封裝產業發展，高端晶片散熱瓶頸凸顯，傳統金剛石塊材加工難、成本高，難以適配現有產線，產業化受阻。

本項目依託香港大學前沿科研力量，構建港深聯動產學研體系，自主研發邊緣暴露剝離技術，在深圳前海佈局小試產線與協同創新中心，通過化學氣相沉積與純物理剝離工藝，批量製備超薄、超平整柔性金剛石晶圓。產品表面粗糙度低於1nm，可直接適配現有半導體產線；薄膜最小厚度400nm，熱導率達1300W/m·K，製備成本較傳統降低約99%，兼具柔性可彎曲特性。